典型關(guān)斷延遲時(shí)間 | 14(晶體管 1)ns,8(晶體管 2)ns | |
典型接通延遲時(shí)間 | 2.8(晶體管 1)ns,3.2(晶體管 2)ns | |
典型柵極電荷@Vgs | 1.1 nC V @ 10(晶體管 1),1.6 nC V @ -10(晶體管 2) | |
典型輸入電容值@Vds | 20 pF @ 25 V(晶體管 1),66 pF @ -25 V(晶體管 2) | |
安裝類型 | 表面貼裝 | |
寬度 | 1.7mm | |
封裝類型 | SuperSOT | |
尺寸 | 3 x 1.7 x 1mm | |
引腳數(shù)目 | 6 | |
最低工作溫度 | -55 °C | |
最大功率耗散 | 0.96 W | |
最大柵源電壓 | ±20 V | |
最大漏源電壓 | 60(晶體管 1)V,-60(晶體管 2)V | |
最大漏源電阻值 | 10(晶體管 2)Ω,4(晶體管 1)Ω | |
最大連續(xù)漏極電流 | -0.34(晶體管 2)A,0.51(晶體管 1)A | |
最高工作溫度 | +150 °C | |
每片芯片元件數(shù)目 | 2 | |
類別 | 功率 MOSFET | |
通道模式 | 增強(qiáng) | |
通道類型 | N,P | |
配置 | 雙漏極 | |
長(zhǎng)度 | 3mm | |
高度 | 1mm |