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MUN5115T1G [更多] | ON Semiconductor | TRANS PREBIAS PNP 202MW SC70-3 RoHS: Compliant | pbFree: Yes | 搜索 查看资料 |
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MUN5115T1G [更多] | ON Semiconductor | Bipolar Transistors - Pre-Biased 100mA 50V BRT PNP RoHS: Compliant | 搜索 |
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MUN5115T1G [更多] | ON Semiconductor | Trans Digital BJT PNP 50V 100mA Automotive 3-Pin SC-70 T/R RoHS: Compliant | 搜索 |
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數(shù)據(jù)列表 | MUN(2,5)115, MMUN2115L, DTA114Txx, NSBA114TF3 |
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產(chǎn)品相片 | SC-70-3_419AB-01 |
標(biāo)準(zhǔn)包裝 | 3,000 |
類別 | 分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 |
家庭 | 晶體管(BJT) - 單路﹐預(yù)偏壓式 |
系列 | - |
包裝 | 帶卷 (TR) |
晶體管類型 | PNP - 預(yù)偏壓 |
電流 - 集電極 (Ic)(最大值) | 100mA |
電壓 - 集射極擊穿(最大值) | 50V |
電阻器 - 基底 (R1) (Ω) | 10k |
電阻器 - 發(fā)射極基底 (R2) (Ω) | - |
不同?Ic、Vce?時的 DC 電流增益 (hFE)(最小值) | 160 @ 5mA,10V |
不同?Ib、Ic 時的?Vce 飽和值(最大值) | 250mV @ 1mA,10mA |
電流 - 集電極截止(最大值) | 500nA |
頻率 - 躍遷 | - |
功率 - 最大值 | 202mW |
安裝類型 | 表面貼裝 |
封裝/外殼 | SC-70,SOT-323 |
供應(yīng)商器件封裝 | SC-70-3(SOT323) |