典型關(guān)斷延遲時(shí)間 | 220 ns | |
典型接通延遲時(shí)間 | 16 ns | |
典型輸入電容值@Vds | 1200 pF V @ 10 | |
安裝類型 | 表面貼裝 | |
寬度 | 1.25mm | |
封裝類型 | SMini3-G1-B | |
尺寸 | 2 x 1.25 x 0.9mm | |
引腳數(shù)目 | 3 | |
最低工作溫度 | -55 °C | |
最大功率耗散 | 500 mW | |
最大柵源電壓 | ±10 V | |
最大漏源電壓 | 20 V | |
最大漏源電阻值 | 40 mΩ | |
最大連續(xù)漏極電流 | 4.5 A | |
最高工作溫度 | +150 °C | |
每片芯片元件數(shù)目 | 1 | |
類別 | 功率 MOSFET | |
通道模式 | 消耗 | |
通道類型 | N | |
長(zhǎng)度 | 2mm | |
高度 | 0.9mm |