數(shù)據(jù)列表 | MMIX1T550N055T2 |
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標(biāo)準(zhǔn)包裝 | 20 |
類別 | 分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 |
家庭 | FET - 單 |
系列 | TrenchT2™ GigaMOS™ |
包裝 | 管件 |
FET 類型 | MOSFET N 通道,金屬氧化物 |
FET 功能 | 標(biāo)準(zhǔn) |
漏源極電壓 (Vdss) | 55V |
電流 - 連續(xù)漏極 (Id)(25° C 時(shí)) | 550A (Tc) |
不同?Id、Vgs 時(shí)的?Rds On(最大值) | 1.3 毫歐 @ 100A,10V |
不同 Id 時(shí)的 Vgs(th)(最大值) | 3.8V @ 250µA |
不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷 (Qg) | 595nC @ 10V |
不同 Vds 時(shí)的輸入電容 (Ciss) | 40000pF @ 25V |
功率 - 最大值 | 830W |
安裝類型 | 表面貼裝 |
封裝/外殼 | 24-BESOP(0.906",23.00mm 寬)21 引線,裸露焊盤 |
供應(yīng)商器件封裝 | - |