數(shù)據(jù)列表 | MMDT5551 |
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產(chǎn)品相片 | SOT-363 |
PCN Design/Specification | Green Encapsulate Change 09/July/2007 |
標(biāo)準(zhǔn)包裝 | 3,000 |
類別 | 分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 |
家庭 | 晶體管(BJT) - 陣列 |
系列 | - |
包裝 | 帶卷 (TR) |
晶體管類型 | 2 NPN(雙) |
電流 - 集電極 (Ic)(最大值) | 200mA |
電壓 - 集射極擊穿(最大值) | 160V |
不同?Ib、Ic 時的?Vce 飽和值(最大值) | 200mV @ 5mA,50mA |
電流 - 集電極截止(最大值) | - |
不同?Ic、Vce?時的 DC 電流增益 (hFE)(最小值) | 80 @ 10mA,5V |
功率 - 最大值 | 200mW |
頻率 - 躍遷 | 300MHz |
安裝類型 | 表面貼裝 |
封裝/外殼 | 6-TSSOP,SC-88,SOT-363 |
供應(yīng)商器件封裝 | SOT-363 |
其它名稱 | MMDT5551DITR MMDT5551TR MMDT5551TR-ND |