數(shù)據(jù)列表 | MMDF1N05E |
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產(chǎn)品相片 | 8-SOIC |
標準包裝 | 2,500 |
類別 | 分立半導體產(chǎn)品 |
家庭 | FET - 陣列 |
系列 | - |
包裝 | 帶卷 (TR) |
FET 類型 | 2 個 N 溝道(雙) |
FET 功能 | 邏輯電平門 |
漏源極電壓 (Vdss) | 50V |
電流 - 連續(xù)漏極 (Id)(25° C 時) | 2A |
不同?Id、Vgs 時的?Rds On(最大值) | 300 毫歐 @ 1.5A,10V |
不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值) | 3V @ 250µA |
不同 Vgs 時的柵極電荷 (Qg) | 12.5nC @ 10V |
不同 Vds 時的輸入電容 (Ciss) | 330pF @ 25V |
功率 - 最大值 | 2W |
安裝類型 | 表面貼裝 |
封裝/外殼 | 8-SOIC(0.154",3.90mm 寬) |
供應商器件封裝 | 8-SOIC N |
其它名稱 | MMDF1N05ER2GOS MMDF1N05ER2GOS-ND MMDF1N05ER2GOSTR |