MC1413BDR2G,MC1413BDR2G|ON Semiconductor代理分銷-MC1413BDR2G原裝現(xiàn)貨,PDF下載
PDF查詢| 數(shù)據(jù)列表 | MC1413(B), NCV1413B |
|---|---|
| 產品相片 | 16 SOIC |
| 標準包裝 | 2,500 |
| 類別 | 分立半導體產品 |
| 家庭 | 晶體管(BJT) - 陣列 |
| 系列 | - |
| 包裝 | * |
| 晶體管類型 | 7 NPN 達林頓 |
| 電流 - 集電極 (Ic)（最大值） | 500mA |
| 電壓 - 集射極擊穿（最大值） | 50V |
| 不同?Ib、Ic 時的?Vce 飽和值（最大值） | 1.6V @ 500µA，350mA |
| 電流 - 集電極截止（最大值） | - |
| 不同?Ic、Vce?時的 DC 電流增益 (hFE)（最小值） | 1000 @ 350mA，2V |
| 功率 - 最大值 | - |
| 頻率 - 躍遷 | - |
| 安裝類型 | * |
| 封裝/外殼 | * |
| 供應商器件封裝 | * |
| 產品目錄頁面 | 1129 (CN2011-ZH PDF) |
| 其它名稱 | MC1413BDR2GOS MC1413BDR2GOS-ND MC1413BDR2GOSTR |
