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聲明：圖片僅供參考，請以實物為準(zhǔn)！

產(chǎn)品信息

	安裝類型	通孔
	寬度	3.25mm
	封裝類型	TO-126
	尺寸	8 x 3.25 x 11mm
	引腳數(shù)目	3
	晶體管類型	PNP
	最大功率耗散	10 W
	最大發(fā)射極-基極電壓	-5 V
	最大基極-發(fā)射極飽和電壓	-2 V
	最大直流集電極電流	-3 A
	最大集電極-發(fā)射極電壓	-30 V
	最大集電極-發(fā)射極飽和電壓	-0.5 V
	最大集電極-基極電壓	-40 V
	最小直流電流增益	30 V
	最高工作溫度	+150 °C
	最高工作頻率	80 MHz
	每片芯片元件數(shù)目	1
	類別	功率放大器
	配置	單
	長度	8mm
	高度	11mm

手機網(wǎng)站相關(guān)詳細信息：KSB772YST
旗下站點www.szcwdz.cn相關(guān)詳細信息: KSB772YST
旗下站點lnwkt.cn.cn相關(guān)詳細信息: 暫無相關(guān)型號

詢價

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• *所需產(chǎn)品：
• 型號: KSB772YST 品牌: Fairchild Semiconductor 備注: 晶體管 GP BJT PNP 30V 3A TO126-3

• *聯(lián)系人：

• *聯(lián)系電話：

• *電子郵箱：

• 備注內(nèi)容：

  

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