數(shù)據(jù)列表 | IXT(A,P,Y)1N80 |
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產品相片 | TO-263 |
標準包裝 | 1 |
類別 | 分立半導體產品 |
家庭 | FET - 單 |
系列 | - |
包裝 | 散裝 |
FET 類型 | MOSFET N 通道,金屬氧化物 |
FET 功能 | 標準 |
漏源極電壓 (Vdss) | 800V |
電流 - 連續(xù)漏極 (Id)(25° C 時) | 750mA (Tc) |
不同?Id、Vgs 時的?Rds On(最大值) | 11 歐姆 @ 500mA,10V |
不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值) | 4.5V @ 25µA |
不同 Vgs 時的柵極電荷 (Qg) | 8.5nC @ 10V |
不同 Vds 時的輸入電容 (Ciss) | 220pF @ 25V |
功率 - 最大值 | 40W |
安裝類型 | 表面貼裝 |
封裝/外殼 | TO-252-3,DPak(2 引線+接片),SC-63 |
供應商器件封裝 | TO-252AA |