IXTF200N10T,IXTF200N10T|IXYS代理分銷-IXTF200N10T原裝現(xiàn)貨,PDF下載
PDF查詢| 數據列表 | IXTF200N10T |
|---|---|
| 產品相片 | IXTF200N10T |
| 標準包裝 | 25 |
| 類別 | 分立半導體產品 |
| 家庭 | FET - 單 |
| 系列 | TrenchMV™ |
| 包裝 | 管件 |
| FET 類型 | MOSFET N 通道，金屬氧化物 |
| FET 功能 | 標準 |
| 漏源極電壓 (Vdss) | 100V |
| 電流 - 連續(xù)漏極 (Id)（25° C 時） | 90A （Tc） |
| 不同?Id、Vgs 時的?Rds On（最大值） | 7 毫歐 @ 50A，10V |
| 不同 Id 時的 Vgs(th)（最大值） | 4.5V @ 250µA |
| 不同 Vgs 時的柵極電荷 (Qg) | 152nC @ 10V |
| 不同 Vds 時的輸入電容 (Ciss) | 9400pF @ 25V |
| 功率 - 最大值 | 156W |
| 安裝類型 | 通孔 |
| 封裝/外殼 | i4-Pac?-5 |
| 供應商器件封裝 | ISOPLUS i4-PAC? |
