IXGH32N60B,IXGH32N60B|IXYS代理分銷-IXGH32N60B原裝現(xiàn)貨,PDF下載
| 型号 | 制造商 | 描述 | 操作 |
| IXGH32N60B [更多] | IXYS Corporation | IGBT Transistors 60 Amps 600V 2.3 Rds RoHS: Compliant | 搜索 |
| IXGH32N60BU1 [更多] | IXYS Corporation | IGBT Transistors 60 Amps 600V 2.3 Rds RoHS: Compliant | 搜索 |
| IXGH32N60BD1 [更多] | IXYS Corporation | IGBT Transistors 60 Amps 600V 2.3 Rds RoHS: Compliant | 搜索 |
| 型号 | 制造商 | 描述 | 操作 |
| IXGH32N60BU1 [更多] | IXYS Corporation | IGBT Housing type: TO-247AD Collector-emitter breakdown voltage: 600 V Collector-emitter saturation voltage: 2.3 V Current release time: 80 ns Power dissipation: 200 W
| 搜索 查看资料 |
| 型号 | 制造商 | 描述 | 库存 | 起订量 | 参考单价 (含税) | 货期 (工作日) | 操作 |
| 查看库存、价格及货期 | |||||||
PDF查詢| 數(shù)據(jù)列表 | IXGH32N60B |
|---|---|
| 產(chǎn)品相片 | TO-247-3 |
| PCN Obsolescence | IGBT’s 600V Legacy 08/May/2013 |
| 標(biāo)準(zhǔn)包裝 | 30 |
| 類別 | 分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 |
| 家庭 | IGBT - 單路 |
| 系列 | HiPerFAST™ |
| 包裝 | 散裝 |
| IGBT 類型 | - |
| 電壓 - 集射極擊穿（最大值） | 600V |
| 不同?Vge、Ic 時的?Vce(on) | 2.5V @ 15V，32A |
| 電流 - 集電極 (Ic)（最大值） | 60A |
| Current - Collector Pulsed (Icm) | 120A |
| 功率 - 最大值 | 200W |
| Switching Energy | 800µJ（關(guān)） |
| 輸入類型 | 標(biāo)準(zhǔn) |
| Gate Charge | 125nC |
| Td (on/off) A 25°C | 25ns/100ns |
| Test Condition | - |
| 反向恢復(fù)時間 (trr) | - |
| 封裝/外殼 | TO-247-3 |
| 安裝類型 | 通孔 |
| 供應(yīng)商器件封裝 | TO-247AD |
