標準包裝 : | 10 |
系列 : | HiPerFET™ |
FET 型 : | MOSFET N 通道,金屬氧化物 |
FET 特點 : | 標準型 |
開態(tài)Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C : | 190 毫歐 @ 22A, 10V |
漏極至源極電壓(Vdss) : | 800V |
電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C : | 37A |
Id 時的 Vgs(th)(最大) : | 6.5V @ 8mA |
閘電荷(Qg) @ Vgs : | 185nC @ 10V |
在 Vds 時的輸入電容(Ciss) : | 9840pF @ 25V |
功率 - 最大 : | 780W |
安裝類型 : | * |
封裝/外殼 : | * |
供應商設備封裝 : | * |
包裝 : | * |