數(shù)據(jù)列表 | IXF(K,X)180N10 |
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產(chǎn)品相片 | TO-264 |
標準包裝 | 25 |
類別 | 分立半導體產(chǎn)品 |
家庭 | FET - 單 |
系列 | HiPerFET™ |
包裝 | 管件 |
FET 類型 | MOSFET N 通道,金屬氧化物 |
FET 功能 | 標準 |
漏源極電壓 (Vdss) | 100V |
電流 - 連續(xù)漏極 (Id)(25° C 時) | 180A (Tc) |
不同?Id、Vgs 時的?Rds On(最大值) | 8 毫歐 @ 90A,10V |
不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值) | 4V @ 8mA |
不同 Vgs 時的柵極電荷 (Qg) | 390nC @ 10V |
不同 Vds 時的輸入電容 (Ciss) | 10900pF @ 25V |
功率 - 最大值 | 560W |
安裝類型 | 通孔 |
封裝/外殼 | TO-264-3,TO-264AA |
供應商器件封裝 | TO-264 |