數(shù)據(jù)列表 | IXB(H,T)42N170 |
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產(chǎn)品相片 | IXBT42N170 |
標(biāo)準(zhǔn)包裝 | 30 |
類別 | 分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 |
家庭 | IGBT - 單路 |
系列 | BIMOSFET™ |
包裝 | 管件 |
IGBT 類型 | - |
電壓 - 集射極擊穿(最大值) | 1700V |
不同?Vge、Ic 時(shí)的?Vce(on) | 2.8V @ 15V,42A |
電流 - 集電極 (Ic)(最大值) | 80A |
Current - Collector Pulsed (Icm) | 300A |
功率 - 最大值 | 360W |
Switching Energy | - |
輸入類型 | 標(biāo)準(zhǔn) |
Gate Charge | 188nC |
Td (on/off) A 25°C | - |
Test Condition | - |
反向恢復(fù)時(shí)間 (trr) | 1.32µs |
封裝/外殼 | TO-268-3,D³Pak(2 引線+接片),TO-268AA |
安裝類型 | 表面貼裝 |
供應(yīng)商器件封裝 | TO-268 |