數(shù)據(jù)列表 | IRLZ44Z(S/L)PbF |
---|---|
產(chǎn)品相片 | TO-263 |
產(chǎn)品培訓(xùn)模塊 | High Voltage Integrated Circuits (HVIC Gate Drivers) |
設(shè)計資源 | IRLZ44ZL Saber Model IRLZ44ZL Spice Model |
PCN Assembly/Origin | Mosfet Fab Transfer 15/Jul/2013 |
標(biāo)準(zhǔn)包裝 | 800 |
類別 | 分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 |
家庭 | FET - 單 |
系列 | HEXFET® |
包裝 | 帶卷 (TR) |
FET 類型 | MOSFET N 通道,金屬氧化物 |
FET 功能 | 邏輯電平門 |
漏源極電壓 (Vdss) | 55V |
電流 - 連續(xù)漏極 (Id)(25° C 時) | 51A (Tc) |
不同?Id、Vgs 時的?Rds On(最大值) | 13.5 毫歐 @ 31A,10V |
不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值) | 3V @ 250µA |
不同 Vgs 時的柵極電荷 (Qg) | 36nC @ 5V |
不同 Vds 時的輸入電容 (Ciss) | 1620pF @ 25V |
功率 - 最大值 | 80W |
安裝類型 | 表面貼裝 |
封裝/外殼 | TO-263-3,D²Pak(2 引線+接片),TO-263AB |
供應(yīng)商器件封裝 | D2PAK |