數據列表 | IRLR8259PBF, IRLU8259PBF |
---|---|
產品相片 | DPAK_369D?01 |
產品培訓模塊 | High Voltage Integrated Circuits (HVIC Gate Drivers) |
標準包裝 | 75 |
類別 | 分立半導體產品 |
家庭 | FET - 單 |
系列 | HEXFET® |
包裝 | 管件 |
FET 類型 | MOSFET N 通道,金屬氧化物 |
FET 功能 | 邏輯電平門 |
漏源極電壓 (Vdss) | 25V |
電流 - 連續(xù)漏極 (Id)(25° C 時) | 57A (Tc) |
不同?Id、Vgs 時的?Rds On(最大值) | 8.7 毫歐 @ 21A,10V |
不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值) | 2.35V @ 25µA |
不同 Vgs 時的柵極電荷 (Qg) | 10nC @ 4.5V |
不同 Vds 時的輸入電容 (Ciss) | 900pF @ 13V |
功率 - 最大值 | 48W |
安裝類型 | 通孔 |
封裝/外殼 | TO-251-3 短引線,IPak,TO-251AA |
供應商器件封裝 | I-Pak |