數(shù)據(jù)列表 | IRL(R,U)3636PBF |
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產(chǎn)品相片 | DPAK_369D?01 |
產(chǎn)品培訓(xùn)模塊 | High Voltage Integrated Circuits (HVIC Gate Drivers) |
設(shè)計資源 | IRLR3636PBF Saber Model IRLR3636PBF Spice Model |
標準包裝 | 75 |
類別 | 分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 |
家庭 | FET - 單 |
系列 | HEXFET® |
包裝 | 管件 |
FET 類型 | MOSFET N 通道,金屬氧化物 |
FET 功能 | 邏輯電平門 |
漏源極電壓 (Vdss) | 60V |
電流 - 連續(xù)漏極 (Id)(25° C 時) | 50A (Tc) |
不同?Id、Vgs 時的?Rds On(最大值) | 6.8 毫歐 @ 50A, 10V |
不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值) | 2.5V @ 100µA |
不同 Vgs 時的柵極電荷 (Qg) | 49nC @ 4.5V |
不同 Vds 時的輸入電容 (Ciss) | 3779pF @ 50V |
功率 - 最大值 | 143W |
安裝類型 | 通孔 |
封裝/外殼 | TO-251-3 長引線,IPak,TO-251AB |
供應(yīng)商器件封裝 | I-Pak |
產(chǎn)品目錄頁面 | 1520 (CN2011-ZH PDF) |