數(shù)據(jù)列表 | IRLS(L)3036 |
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產(chǎn)品培訓(xùn)模塊 | High Voltage Integrated Circuits (HVIC Gate Drivers) |
PCN Assembly/Origin | TO-262 FET 04/Jul/2013 |
標(biāo)準(zhǔn)包裝 | 50 |
類別 | 分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 |
家庭 | FET - 單 |
系列 | HEXFET® |
包裝 | 管件 |
FET 類型 | MOSFET N 通道,金屬氧化物 |
FET 功能 | 邏輯電平門 |
漏源極電壓 (Vdss) | 60V |
電流 - 連續(xù)漏極 (Id)(25° C 時(shí)) | 195A (Tc) |
不同?Id、Vgs 時(shí)的?Rds On(最大值) | 2.4 毫歐 @ 165A,10V |
不同 Id 時(shí)的 Vgs(th)(最大值) | 2.5V @ 250µA |
不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷 (Qg) | 140nC @ 4.5V |
不同 Vds 時(shí)的輸入電容 (Ciss) | 11210pF @ 50V |
功率 - 最大值 | 380W |
安裝類型 | 通孔 |
封裝/外殼 | TO-262-3,長(zhǎng)引線,I²Pak,TO-262AA |
供應(yīng)商器件封裝 | TO-262 |
產(chǎn)品目錄頁(yè)面 | 1519 (CN2011-ZH PDF) |