型号 | 制造商 | 描述 | 实时库存 | 起订量 | 实时单价 (含税) | 货期 (工作日) | 操作 |
IRLR8256PBF | International Rectifier | POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 81A I(D), 25V, 0.0057OHM, 1-ELEMENT, N-CHANNEL, SILICON, METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR FET, TO-252AA | 424 1起订 | 1+ 82+ 324+ | ¥22.67 ¥11.34 ¥9.07 | 1-3周 | 购买 |
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IRLR8256PBF [更多] | Infineon Technologies AG | MOSFET N-CH 25V 81A DPAK RoHS: Compliant | pbFree: Yes | 搜索 查看资料 |
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IRLR8256PBF [更多] | Infineon Technologies AG | MOSFET 25V 1 N-CH HEXFET 5.7mOhms 10nC RoHS: Compliant | 搜索 |
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IRLR8256PBF [更多] | Infineon Technologies AG | Trans MOSFET N-CH 25V 81A 3-Pin(2+Tab) DPAK Tube RoHS: Compliant | 搜索 |
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IRLR8256PBF [更多] | Infineon Technologies AG | Trans MOSFET N-CH 25V 81A 3-Pin(2+Tab) DPAK Tube
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IRLR8256PBF [更多] | Infineon Technologies AG | MOSFET, N-CH 25V 81A DPAK
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IRLR8256PBF [更多] | International Rectifier |
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IRLR8256PBF [更多] | Infineon Technologies AG | Transistor: N-MOSFET, unipolar, logic level, 25V, 81A, 63W, DPAK
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數據列表 | IRL(R,U)8256PBF |
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產品相片 | TO-263 |
產品培訓模塊 | High Voltage Integrated Circuits (HVIC Gate Drivers) |
設計資源 | IRLR8256PBF Saber Model IRLR8256PBF Spice Model |
標準包裝 | 75 |
類別 | 分立半導體產品 |
家庭 | FET - 單 |
系列 | HEXFET® |
包裝 | 管件 |
FET 類型 | MOSFET N 通道,金屬氧化物 |
FET 功能 | 邏輯電平門 |
漏源極電壓 (Vdss) | 25V |
電流 - 連續(xù)漏極 (Id)(25° C 時) | 81A (Tc) |
不同?Id、Vgs 時的?Rds On(最大值) | 5.7 毫歐 @ 25A,10V |
不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值) | 2.35V @ 25µA |
不同 Vgs 時的柵極電荷 (Qg) | 15nC @ 4.5V |
不同 Vds 時的輸入電容 (Ciss) | 1470pF @ 13V |
功率 - 最大值 | 63W |
安裝類型 | 表面貼裝 |
封裝/外殼 | TO-252-3,DPak(2 引線+接片),SC-63 |
供應商器件封裝 | D-Pak |