典型關(guān)斷延遲時間 | 5.8 ns | |
典型接通延遲時間 | 14 ns | |
典型柵極電荷@Vgs | 21 nC V @ 4.5 | |
典型輸入電容值@Vds | 2830 pF V @ 10 | |
安裝類型 | 表面貼裝 | |
寬度 | 6.22mm | |
封裝類型 | DPAK | |
尺寸 | 6.73 x 6.22 x 2.39mm | |
引腳數(shù)目 | 3 | |
最低工作溫度 | -55 °C | |
最大功率耗散 | 89000 mW | |
最大柵源電壓 | ±20 V | |
最大漏源電壓 | 20 V | |
最大漏源電阻值 | 0.004 Ω | |
最大連續(xù)漏極電流 | 120 A | |
最高工作溫度 | +175 °C | |
每片芯片元件數(shù)目 | 1 | |
類別 | 功率 MOSFET | |
通道模式 | 增強 | |
通道類型 | N | |
配置 | 單 | |
長度 | 6.73mm | |
高度 | 2.39mm |