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IRLR3410PB,IRLR3410PB|International Rectifier代理分銷-IRLR3410PB原裝現(xiàn)貨,PDF下載
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MOSFET N-CH 100V 17A DPAK

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MOSFET 100V 1 N-CH HEXFET 105mOhms 22.7nC

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MOSFETs

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Trans MOSFET N-CH Si 100V 17A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

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Trans MOSFET N-CH 100V 17A 3-Pin(2+Tab) DPAK - Rail/Tube (Alt: IRLR3410PBF)

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Trans MOSFET N-CH Si 100V 17A 3-Pin(2+Tab) DPAK Tube

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MOSFET, N, 100V, 15A, D-PAK

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Single N-Channel 100 V 155 mOhm 34 nC HEXFET? Power Mosfet - TO-252AA

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Single N-Channel 100 V 155 mOhm 34 nC HEXFET? Power Mosfet - TO-252AA

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MOSFET, Power, N-Ch, VDSS 100V, RDS(ON) 0.105Ohm, ID 17A, D-Pak (TO-252AA), PD 79W

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MOSFET Operating temperature: -55...+175 °C Housing type: DPAK Polarity: N Power dissipation: 79 W

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17 A, 100 V, 0.125 OHM, N-CHANNEL, SI, POWER, MOSFET, TO-252AA

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IRLR3410PB
制造商型號： IRLR3410PB
制造商： International Rectifier
描述： MOSFET，N溝道，100V，17A，DPAK
技術(shù)參考： Rohs PDF查詢
庫存狀態(tài)： 實時庫存查詢  所在地：深圳原厂原裝現(xiàn)貨
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訂購熱線： 400-900-3095, QQ:800152669, Email:sales@szcwdz.com
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產(chǎn)品信息
典型關(guān)斷延遲時間30 ns
典型接通延遲時間7.2 ns
典型柵極電荷@Vgs34 nC V @ 5
典型輸入電容值@Vds800 pF V @ 25
安裝類型表面貼裝
寬度6.22mm
封裝類型DPAK
尺寸6.73 x 6.22 x 2.39mm
引腳數(shù)目3
最低工作溫度-55 °C
最大功率耗散79 W
最大柵源電壓±16 V
最大漏源電壓100 V
最大漏源電阻值0.105 Ω
最大連續(xù)漏極電流17 A
最高工作溫度+175 °C
每片芯片元件數(shù)目1
類別功率 MOSFET
通道模式增強
通道類型N
配置單
長度6.73mm
高度2.39mm

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