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IRLR2703PBF [更多] | Infineon Technologies AG | MOSFET N-CH 30V 23A DPAK RoHS: Compliant | pbFree: Yes | 搜索 查看资料 |
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IRLR2703PBF [更多] | Infineon Technologies AG | MOSFET 30V 1 N-CH HEXFET 45mOhms 6.2nC RoHS: Compliant | 搜索 |
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IRLR2703PBF [更多] | International Rectifier |
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| 制造商零件编号: IRLR2703PBF 品牌: Infineon 库存编号: 864-1025 | 查看其他仓库 |
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![]() | IR MOSFET N, 30 V 23 A 45 W DPAK, IRLR2703PBF, IR 型号:IRLR2703PBF 仓库库存编号:171-18-656 | 搜索 |
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IRLR2703PBF![]() | 8660131 | INFINEON 晶体管, MOSFET, N沟道, 22 A, 30 V, 45 mohm, 10 V, 1 V ![]() | 搜索 |
數(shù)據(jù)列表 | IRLR/U2703PbF |
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產(chǎn)品相片 | TO-263 |
產(chǎn)品培訓(xùn)模塊 | High Voltage Integrated Circuits (HVIC Gate Drivers) |
設(shè)計資源 | IRLR2703PBF Saber Model IRLR2703PBF Spice Model |
標準包裝 | 75 |
類別 | 分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 |
家庭 | FET - 單 |
系列 | HEXFET® |
包裝 | 管件 |
FET 類型 | MOSFET N 通道,金屬氧化物 |
FET 功能 | 邏輯電平門 |
漏源極電壓 (Vdss) | 30V |
電流 - 連續(xù)漏極 (Id)(25° C 時) | 23A (Tc) |
不同?Id、Vgs 時的?Rds On(最大值) | 45 毫歐 @ 14A,10V |
不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值) | 1V @ 250µA |
不同 Vgs 時的柵極電荷 (Qg) | 15nC @ 4.5V |
不同 Vds 時的輸入電容 (Ciss) | 450pF @ 25V |
功率 - 最大值 | 45W |
安裝類型 | 表面貼裝 |
封裝/外殼 | TO-252-3,DPak(2 引線+接片),SC-63 |
供應(yīng)商器件封裝 | D-Pak |