數(shù)據(jù)列表 | IRLMS6702 |
---|---|
產(chǎn)品相片 | IRF5800TRPBF |
設(shè)計資源 | IRLMS6702TR Saber Model IRLMS6702TR Spice Model |
PCN Obsolescence | Multiple Devices 03/Apr/2013 |
標(biāo)準(zhǔn)包裝 | 1 |
類別 | 分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 |
家庭 | FET - 單 |
系列 | HEXFET® |
包裝 | 剪切帶 (CT) |
FET 類型 | MOSFET P 通道,金屬氧化物 |
FET 功能 | 邏輯電平門 |
漏源極電壓 (Vdss) | 20V |
電流 - 連續(xù)漏極 (Id)(25° C 時) | 2.4A (Ta) |
不同?Id、Vgs 時的?Rds On(最大值) | 200 毫歐 @ 1.6A,4.5V |
不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值) | 700mV @ 250µA |
不同 Vgs 時的柵極電荷 (Qg) | 8.8nC @ 4.5V |
不同 Vds 時的輸入電容 (Ciss) | 210pF @ 15V |
功率 - 最大值 | 1.7W |
安裝類型 | 表面貼裝 |
封裝/外殼 | 6-LSOP(0.063",1.60mm 寬) |
供應(yīng)商器件封裝 | Micro6?(TSOP-6) |
其它名稱 | *IRLMS6702TR IRLMS6702 IRLMS6702CT |