IRLML6302TRPBF,IRLML6302TRPBF|International Rectifier代理分銷-IRLML6302TRPBF原裝現(xiàn)貨,PDF下載
PDF查詢| 數(shù)據(jù)列表 | IRLML6302PbF |
|---|---|
| 產(chǎn)品相片 | SOT-23-3 |
| 產(chǎn)品培訓(xùn)模塊 | High Voltage Integrated Circuits (HVIC Gate Drivers) |
| 設(shè)計(jì)資源 | IRLML6302TR Saber Model IRLML6302TR Spice Model |
| 標(biāo)準(zhǔn)包裝 | 3,000 |
| 類別 | 分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 |
| 家庭 | FET - 單 |
| 系列 | HEXFET® |
| 包裝 | 帶卷 (TR) |
| FET 類型 | MOSFET P 通道，金屬氧化物 |
| FET 功能 | 邏輯電平門 |
| 漏源極電壓 (Vdss) | 20V |
| 電流 - 連續(xù)漏極 (Id)（25° C 時(shí)） | 780mA （Ta） |
| 不同?Id、Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值） | 600 毫歐 @ 610mA，4.5V |
| 不同 Id 時(shí)的 Vgs(th)（最大值） | 1.5V @ 250µA |
| 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷 (Qg) | 3.6nC @ 4.45V |
| 不同 Vds 時(shí)的輸入電容 (Ciss) | 97pF @ 15V |
| 功率 - 最大值 | 540mW |
| 安裝類型 | 表面貼裝 |
| 封裝/外殼 | TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 |
| 供應(yīng)商器件封裝 | Micro3?/SOT-23 |
| 產(chǎn)品目錄頁面 | 1520 (CN2011-ZH PDF) |
| 其它名稱 | IRLML6302PBFTR |
