IRLML6302TR,IRLML6302TR|International Rectifier代理分銷-IRLML6302TR原裝現(xiàn)貨,PDF下載
PDF查詢| 數(shù)據(jù)列表 | IRLML6302 |
|---|---|
| 產(chǎn)品相片 | SOT-23-3 |
| 設(shè)計資源 | IRLML6302TR Saber Model IRLML6302TR Spice Model |
| 標準包裝 | 1 |
| 類別 | 分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 |
| 家庭 | FET - 單 |
| 系列 | HEXFET® |
| 包裝 | 剪切帶 (CT) |
| FET 類型 | MOSFET P 通道，金屬氧化物 |
| FET 功能 | 邏輯電平門 |
| 漏源極電壓 (Vdss) | 20V |
| 電流 - 連續(xù)漏極 (Id)（25° C 時） | 780mA （Ta） |
| 不同?Id、Vgs 時的?Rds On（最大值） | 600 毫歐 @ 610mA，4.5V |
| 不同 Id 時的 Vgs(th)（最大值） | 1.5V @ 250µA |
| 不同 Vgs 時的柵極電荷 (Qg) | 3.6nC @ 4.45V |
| 不同 Vds 時的輸入電容 (Ciss) | 97pF @ 15V |
| 功率 - 最大值 | 540mW |
| 安裝類型 | 表面貼裝 |
| 封裝/外殼 | TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 |
| 供應(yīng)商器件封裝 | Micro3?/SOT-23 |
| 其它名稱 | *IRLML6302TR IRLML6302 IRLML6302-ND IRLML6302CT |
