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場(chǎng)效應(yīng)管 MOSFET P SOT-23
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晶體管極性:
P溝道
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電流, Id 連續(xù):
-3A
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漏源電壓, Vds:
-30V
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在電阻RDS（上）:
98mohm
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電壓 @ Rds測(cè)量:
-10V
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閾值電壓, Vgs th 典型值:
-2.5V
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功耗, Pd:
1.25W
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工作溫度最小值:
-55°C
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工作溫度最高值:
150°C
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封裝類(lèi)型:
SOT-23
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針腳數(shù):
3
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SVHC(高度關(guān)注物質(zhì)):
No SVHC (19-Dec-2012)
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SMD標(biāo)號(hào):
H
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功耗, Pd:
1.25W
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功耗, Pd:
1.25W
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器件標(biāo)記:
IRLML5203
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外寬:
3.05mm
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外部深度:
2.5mm
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外部長(zhǎng)度/高度:
1.12mm
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封裝/箱盒:
SOT-23
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工作溫度范圍:
-55°C 至 +150°C
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帶子寬度:
8mm
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晶體管數(shù):
1
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溫度 @ 電流測(cè)量:
25°C
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滿功率溫度:
25°C
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漏極電流, Id 最大值:
-3A
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電壓 Vgs @ Rds on 測(cè)量:
-10V
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電壓, Vds 典型值:
-30V
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電壓, Vgs 最高:
20V
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電流, Idm 脈沖:
-24A
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閾值電壓, Vgs th 最高:
-2.5V
產(chǎn)地：
US
United States
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