數(shù)據(jù)列表 | IRLML5103 |
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產(chǎn)品相片 | SOT-23-3 |
設(shè)計資源 | IRLML5103TR Saber Model IRLML5103TR Spice Model |
標(biāo)準(zhǔn)包裝 | 1 |
類別 | 分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 |
家庭 | FET - 單 |
系列 | HEXFET® |
包裝 | 剪切帶 (CT) |
FET 類型 | MOSFET P 通道,金屬氧化物 |
FET 功能 | 邏輯電平門 |
漏源極電壓 (Vdss) | 30V |
電流 - 連續(xù)漏極 (Id)(25° C 時) | 760mA (Ta) |
不同?Id、Vgs 時的?Rds On(最大值) | 600 毫歐 @ 600mA,10V |
不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值) | 1V @ 250µA |
不同 Vgs 時的柵極電荷 (Qg) | 5.1nC @ 10V |
不同 Vds 時的輸入電容 (Ciss) | 75pF @ 25V |
功率 - 最大值 | 540mW |
安裝類型 | 表面貼裝 |
封裝/外殼 | TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 |
供應(yīng)商器件封裝 | Micro3?/SOT-23 |
其它名稱 | *IRLML5103TR IRLML5103 IRLML5103-ND IRLML5103CT |