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場效應(yīng)管 MOSFET N 邏輯電平 SOT-23
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晶體管極性:
N溝道
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電流, Id 連續(xù):
850mA
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漏源電壓, Vds:
30V
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在電阻RDS（上）:
300mohm
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電壓 @ Rds測量:
10V
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閾值電壓, Vgs th 典型值:
1V
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功耗, Pd:
400mW
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工作溫度最小值:
-55°C
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工???溫度最高值:
150°C
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封裝類型:
SOT-23
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針腳數(shù):
3
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SVHC(高度關(guān)注物質(zhì)):
No SVHC (19-Dec-2012)
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SMD標(biāo)號:
1B
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功耗, Pd:
400mW
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功耗, Pd:
400mW
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器件標(biāo)記:
IRLML2803PBF
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外寬:
3.05mm
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外部深度:
2.5mm
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外部長度/高度:
1.12mm
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封裝/箱盒:
SOT-23
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工作溫度范圍:
-55°C 至 +150°C
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帶子寬度:
8mm
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晶體管數(shù):
1
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溫度 @ 電流測量:
25°C
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滿功率溫度:
25°C
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漏極電流, Id 最大值:
850mA
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電壓 Vgs @ Rds on 測量:
10V
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電壓, Vds 典型值:
30V
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電壓, Vgs 最高:
1V
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電流, Idm 脈沖:
7.3A
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結(jié)溫, Tj 最小值:
-55°C
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閾值電壓, Vgs th 最高:
2.5V
產(chǎn)地：
US
United States
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