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IRLL014,IRLL014|VISHAY SILICONIX代理分銷(xiāo)-IRLL014原裝現(xiàn)貨,PDF下載
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MOSFET, N, 60V, 2.7A, SOT-223

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MOSFET, N, 55V, 2A, SOT-223

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MOSFET, N CH, 60V, 0.2OHM, 2.7A, SOT-223

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N-Channel 55 V 140 mOhm 14 nC SMT Automotive HEXFET? Power Mosfet - SOT-223

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Single N-Channel 55 V 0.28 Ohm 14 nC HEXFET? Power Mosfet - SOT-223

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Single N-Channel 55 V 0.28 Ohm 14 nC HEXFET? Power Mosfet - SOT-223

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Single N-Channel 55V 0.28 Ohm 14 nC HEXFET? Power Mosfet - SOT-223

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Single N-Channel 55V 0.28 Ohm 14 nC HEXFET? Power Mosfet - SOT-223

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Single N-Channel 55V 0.28 Ohm 14 nC HEXFET? Power Mosfet - SOT-223

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Single N-Channel 60 V 0.2 Ohms Surface Mount Power Mosfet - SOT-223-3

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Single N-Channel 60 V 0.2 Ohms Surface Mount Power Mosfet - SOT-223-3

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MOSFET, Power, N-Ch, VDSS 55V, RDS(ON) 0.14Ohm, ID 2.8A, SOT-223, PD 2.1W, VGS +/-16V

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MOSFET N-CH 60V 2.7A SOT223

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MOSFET, Power, N-Ch, VDSS 55V, RDS(ON) 0.14Ohm, ID 2.8A, SOT-223, PD 2.1W, VGS +/-16V

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MOSFET N-CH 60V 2.7A SOT223

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MOSFET, Power, N-Ch, VDSS 60V, RDS(ON) 0.2Ohm, ID 2.7A, SOT-223, PD 3.1W, VGS +/-10V

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MOSFET N-Chan 60V 2.7 Amp

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MOSFET N-Chan 60V 2.7 Amp

RoHS: Compliant | pbFree: Pb-Free

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MOSFET N-Chan 60V 2.7 Amp

RoHS: Compliant | pbFree: Pb-Free

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RoHS: Not Compliant | pbFree: No

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MOSFET Operating temperature: -55...+150 °C Housing type: SOT-223 Polarity: N Power dissipation: 2.1 W

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Transistor: N-MOSFET, unipolar, logic level, 55V, 2A, 2.1W, SOT223

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Transistor: N-MOSFET, unipolar, logic level, 55V, 2A, 2.1W, SOT223

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International Rectifier

MOSFET Transistor, N-Channel, TO-261AA

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MOSFET Transistor, N-Channel, TO-261AA

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MOSFET Transistor, N-Channel, TO-261AA

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International Rectifier

MOSFET Transistor, N-Channel, SOT-223

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International Rectifier

MOSFET Transistor, N-Channel, SOT-223

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MOSFET Transistor, N-Channel, SOT-223

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MOSFET Transistor, N-Channel, SOT-223

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MOSFET Transistor, N-Channel, SOT-223

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2 A, 55 V, 0.14 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-261AA

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2.7 A, 60 V, 0.2 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET

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IRLL014|VISHAY SILICONIX
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IRLL014
制造商型號(hào): IRLL014
制造商: VISHAY SILICONIX
描述: MOSFET N-CH 60V 2.7A SOT223
技術(shù)參考: Rohs PDF查詢(xún)
庫(kù)存狀態(tài): 實(shí)時(shí)庫(kù)存查詢(xún)  所在地:深圳原厂原裝現(xiàn)貨
備注: 代理銷(xiāo)售世界各大品牌電子元器件,大量原厂原裝正品現(xiàn)貨
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產(chǎn)品信息
數(shù)據(jù)列表 IRLL014
產(chǎn)品相片 SOT223-3L
產(chǎn)品目錄繪圖 IR(F,L)L Series Top
IR(F,L)L Series Side
標(biāo)準(zhǔn)包裝  4,000
類(lèi)別分立半導(dǎo)體產(chǎn)品
家庭FET - 單
系列-
包裝  管件  
FET 類(lèi)型MOSFET N 通道,金屬氧化物
FET 功能邏輯電平門(mén)
漏源極電壓 (Vdss)60V
電流 - 連續(xù)漏極 (Id)(25° C 時(shí))2.7A (Tc)
不同?Id、Vgs 時(shí)的?Rds On(最大值)200 毫歐 @ 1.6A,5V
不同 Id 時(shí)的 Vgs(th)(最大值)2V @ 250µA
不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷 (Qg)8.4nC @ 5V
不同 Vds 時(shí)的輸入電容 (Ciss)400pF @ 25V
功率 - 最大值2W
安裝類(lèi)型表面貼裝
封裝/外殼TO-261-4,TO-261AA
供應(yīng)商器件封裝SOT-223
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