數(shù)據(jù)列表 | IRLHS6376PBF |
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產(chǎn)品相片 | 6-VDFN |
產(chǎn)品培訓(xùn)模塊 | High Voltage Integrated Circuits (HVIC Gate Drivers) |
設(shè)計(jì)資源 | IRLHS6376TR2PBF Saber Model IRLHS6376TR2PBF Spice Model |
標(biāo)準(zhǔn)包裝 | 4,000 |
類別 | 分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 |
家庭 | FET - 陣列 |
系列 | HEXFET® |
包裝 | 帶卷 (TR) |
FET 類型 | 2 個(gè) N 溝道(雙) |
FET 功能 | 邏輯電平門 |
漏源極電壓 (Vdss) | 30V |
電流 - 連續(xù)漏極 (Id)(25° C 時(shí)) | 3.6A |
不同?Id、Vgs 時(shí)的?Rds On(最大值) | 63 毫歐 @ 3.4A,4.5V |
不同 Id 時(shí)的 Vgs(th)(最大值) | 1.1V @ 10µA |
不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷 (Qg) | 2.8nC @ 4.5V |
不同 Vds 時(shí)的輸入電容 (Ciss) | 270pF @ 25V |
功率 - 最大值 | 1.5W |
安裝類型 | 表面貼裝 |
封裝/外殼 | 6-VDFN 裸露焊盤 |
供應(yīng)商器件封裝 | 6-PQFN(2x2) |
其它名稱 | IRLHS6376TRPBF-ND IRLHS6376TRPBFTR |