IRLHS6342TR2PBF,IRLHS6342TR2PBF|International Rectifier代理分銷-IRLHS6342TR2PBF原裝現(xiàn)貨,PDF下載
PDF查詢| 數(shù)據(jù)列表 | IRLHS6342PBF |
|---|---|
| 產(chǎn)品相片 | 6-PowerVDFN |
| 設(shè)計(jì)資源 | IRLHS6342TR2PBF Saber Model IRLHS6342TR2PBF Spice Model |
| 特色產(chǎn)品 | PQFN 2x2 |
| 標(biāo)準(zhǔn)包裝 | 1 |
| 類別 | 分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 |
| 家庭 | FET - 單 |
| 系列 | HEXFET® |
| 包裝 | 剪切帶 (CT) |
| FET 類型 | MOSFET N 通道，金屬氧化物 |
| FET 功能 | 邏輯電平門 |
| 漏源極電壓 (Vdss) | 30V |
| 電流 - 連續(xù)漏極 (Id)（25° C 時(shí)） | 8.7A （Ta）， 19A （Tc） |
| 不同?Id、Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值） | 15.5 毫歐 @ 8.5A，4.5V |
| 不同 Id 時(shí)的 Vgs(th)（最大值） | 1.1V @ 10µA |
| 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷 (Qg) | 11nC @ 4.5V |
| 不同 Vds 時(shí)的輸入電容 (Ciss) | 1019pF @ 25V |
| 功率 - 最大值 | 2.1W |
| 安裝類型 | 表面貼裝 |
| 封裝/外殼 | 6-PowerVDFN |
| 供應(yīng)商器件封裝 | 6-PQFN（2x2） |
| 其它名稱 | IRLHS6342TR2PBFCT |
