數(shù)據列表 | IRLHS22422PbF |
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產品相片 | 6-PowerVDFN |
設計資源 | IRLHS2242TR2PBF Saber Model IRLHS2242TR2PBF Spice Model |
特色產品 | PQFN 2x2 |
標準包裝 | 1 |
類別 | 分立半導體產品 |
家庭 | FET - 單 |
系列 | HEXFET® |
包裝 | 剪切帶 (CT) |
FET 類型 | MOSFET P 通道,金屬氧化物 |
FET 功能 | 邏輯電平門 |
漏源極電壓 (Vdss) | 20V |
電流 - 連續(xù)漏極 (Id)(25° C 時) | 7.2A (Ta), 15A (Tc) |
不同?Id、Vgs 時的?Rds On(最大值) | 31 毫歐 @ 8.5A,4.5V |
不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值) | 1.1V @ 10µA |
不同 Vgs 時的柵極電荷 (Qg) | 12nC @ 10V |
不同 Vds 時的輸入電容 (Ciss) | 877pF @ 10V |
功率 - 最大值 | 2.1W |
安裝類型 | 表面貼裝 |
封裝/外殼 | 6-PowerVDFN |
供應商器件封裝 | 6-PQFN(2x2) |
其它名稱 | IRLHS2242TR2PBFCT |