IRLHM620TR2PBF,IRLHM620TR2PBF|International Rectifier代理分銷(xiāo)-IRLHM620TR2PBF原裝現(xiàn)貨,PDF下載
PDF查詢(xún)| 數(shù)據(jù)列表 | IRLHM620PbF |
|---|---|
| 產(chǎn)品相片 | IRFHM830DTR2PBF |
| 設(shè)計(jì)資源 | IRLHM620TR2PBF Saber Model IRLHM620TR2PBF Spice Model |
| 標(biāo)準(zhǔn)包裝 | 1 |
| 類(lèi)別 | 分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 |
| 家庭 | FET - 單 |
| 系列 | HEXFET® |
| 包裝 | 剪切帶 (CT) |
| FET 類(lèi)型 | MOSFET N 通道，金屬氧化物 |
| FET 功能 | 邏輯電平門(mén) |
| 漏源極電壓 (Vdss) | 20V |
| 電流 - 連續(xù)漏極 (Id)（25° C 時(shí)） | 26A （Ta）， 40A （Tc） |
| 不同?Id、Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值） | 2.5 毫歐 @ 20A，4.5V |
| 不同 Id 時(shí)的 Vgs(th)（最大值） | 1.1V @ 50µA |
| 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷 (Qg) | 78nC @ 4.5V |
| 不同 Vds 時(shí)的輸入電容 (Ciss) | 3620pF @ 10V |
| 功率 - 最大值 | 2.7W |
| 安裝類(lèi)型 | 表面貼裝 |
| 封裝/外殼 | 8-VQFN 裸露焊盤(pán) |
| 供應(yīng)商器件封裝 | PQFN（3x3） |
| 其它名稱(chēng) | IRLHM620TR2PBFCT |
