IRLBD59N04ETRLP,IRLBD59N04ETRLP|International Rectifier代理分銷-IRLBD59N04ETRLP原裝現(xiàn)貨,PDF下載
PDF查詢| 數(shù)據(jù)列表 | IRLBD59N04E |
|---|---|
| 標準包裝 | 800 |
| 類別 | 分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 |
| 家庭 | FET - 單 |
| 系列 | HEXFET® |
| 包裝 | 帶卷 (TR) |
| FET 類型 | MOSFET N 通道，金屬氧化物 |
| FET 功能 | 邏輯電平門 |
| 漏源極電壓 (Vdss) | 40V |
| 電流 - 連續(xù)漏極 (Id)（25° C 時） | 59A （Tc） |
| 不同?Id、Vgs 時的?Rds On（最大值） | 18 毫歐 @ 35A，10V |
| 不同 Id 時的 Vgs(th)（最大值） | 2V @ 250µA |
| 不同 Vgs 時的柵極電荷 (Qg) | 50nC @ 5V |
| 不同 Vds 時的輸入電容 (Ciss) | 2190pF @ 25V |
| 功率 - 最大值 | 130W |
| 安裝類型 | 表面貼裝 |
| 封裝/外殼 | TO-263-6，D²Pak（5 引線+接片），TO-263BA |
| 供應(yīng)商器件封裝 | TO-263-5 |
