型号 | 制造商 | 描述 | 操作 |
IRLB4030PBF [更多] | Infineon Technologies AG | MOSFET N-CH 100V 180A TO-220AB RoHS: Compliant | pbFree: Yes | 搜索 查看资料 |
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IRLB4030PBF [更多] | Infineon Technologies AG | MOSFET MOSFT 100V 180A 4.3mOhm 87nC RoHS: Compliant | 搜索 |
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IRLB4030PBF [更多] | Infineon Technologies AG | MOSFET RoHS: Compliant | pbFree: Yes | 搜索 |
IRLB4030PBF [更多] | Infineon Technologies AG | MOSFET RoHS: Compliant | pbFree: Yes | 搜索 |
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IRLB4030PBF [更多] | Infineon Technologies AG | Trans MOSFET N-CH 100V 180A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB - Rail/Tube (Alt: IRLB4030PBF) RoHS: Compliant | 搜索 |
IRLB4030PBF [更多] | Infineon Technologies AG | Trans MOSFET N-CH 100V 180A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB (Alt: IRLB4030PBF) RoHS: Compliant | 搜索 |
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IRLB4030PBF [更多] | Infineon Technologies AG | Trans MOSFET N-CH 100V 180A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube RoHS: Compliant | 搜索 |
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IRLB4030PBF [更多] | Infineon Technologies AG | MOSFET, N-CH 100V 180A TO220
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IRLB4030PBF [更多] | Infineon Technologies AG | Single N-Channel 100 V 4.5 mOhm 87 nC 3HEXFET? Power Mosfet - TO-220-3 RoHS: Compliant | pbFree: Yes | 搜索 |
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IRLB4030PBF [更多] | Infineon Technologies AG | IRLB4030PBF N-channel MOSFET Transistor, 180 A, 100 V, 3-Pin TO-220AB RoHS: Compliant | 搜索 查看资料 |
型号 | 制造商 | 描述 | 操作 |
IRLB4030PBF [更多] | International Rectifier | MOSFET Operating temperature: -55...+175 °C Drive: logic level Housing type: TO-220 Polarity: N Power dissipation: 370 W
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型号 | 制造商 | 描述 | 操作 |
IRLB4030PBF [更多] | Infineon Technologies AG | Transistor: N-MOSFET, unipolar, logic level, 100V, 180A, 370W
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型号 | 制造商 | 描述 | 库存 | 起订量 | 参考单价 (含税) | 货期 (工作日) | 操作 |
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制造商产品编号 | 仓库库存编号 | 制造商 / 说明 / 规格书 | 操作 |
IRLB4030PBF![]() | 1698301 | INFINEON 晶体管, MOSFET, N沟道, 110 A, 100 V, 0.0034 ohm, 10 V, 2.5 V ![]() | 搜索 |
参考图片 | 制造商 / 描述 / 型号 / 仓库库存编号 / 别名 | 操作 | |
![]() | Infineon Technologies MOSFET N-CH 100V 180A TO-220AB 详细描述:通孔 N 沟道 180A(Tc) 370W(Tc) TO-220AB 型号:IRLB4030PBF 仓库库存编号:IRLB4030PBF-ND 别名:SP001552594 | 无铅 | 搜索 |
产品描述 / 参考图片 | 制造商零件编号 / 制造商 / 库存编号 | 操作 | ||
| 制造商零件编号: IRLB4030PBF 品牌: Infineon 库存编号: 688-7216 | 搜索 |
参考图片 | 制造商 / 说明 / 型号 / 仓库库存编号 | 操作 | |
![]() | IR MOSFET N, 100 V 180 A 370 W TO-220, IRLB4030PBF, IR 型号:IRLB4030PBF 仓库库存编号:171-02-401 | 搜索 |
數(shù)據(jù)列表 | IRLB4030PbF |
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產(chǎn)品相片 | TO-220-3, TO-220AB |
產(chǎn)品培訓(xùn)模塊 | High Voltage Integrated Circuits (HVIC Gate Drivers) |
特色產(chǎn)品 | HEXFET? Power MOSFETs |
標(biāo)準(zhǔn)包裝 | 50 |
類別 | 分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 |
家庭 | FET - 單 |
系列 | HEXFET® |
包裝 | 管件 |
FET 類型 | MOSFET N 通道,金屬氧化物 |
FET 功能 | 邏輯電平門 |
漏源極電壓 (Vdss) | 100V |
電流 - 連續(xù)漏極 (Id)(25° C 時) | 180A (Tc) |
不同?Id、Vgs 時的?Rds On(最大值) | 4.3 毫歐 @ 110A,10V |
不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值) | 2.5V @ 250µA |
不同 Vgs 時的柵極電荷 (Qg) | 130nC @ 4.5V |
不同 Vds 時的輸入電容 (Ciss) | 11360pF @ 50V |
功率 - 最大值 | 370W |
安裝類型 | 通孔 |
封裝/外殼 | TO-220-3 |
供應(yīng)商器件封裝 | TO-220AB |
產(chǎn)品目錄頁面 | 1519 (CN2011-ZH PDF) |