IRLB3813PBF,IRLB3813PBF|International Rectifier代理分銷-IRLB3813PBF原裝現(xiàn)貨,PDF下載
PDF查詢| 數(shù)據(jù)列表 | IRLB3813PbF |
|---|---|
| 產品相片 | TO-220-3, TO-220AB |
| 產品培訓模塊 | High Voltage Integrated Circuits (HVIC Gate Drivers) |
| 特色產品 | 30V MOSFET Family |
| 標準包裝 | 50 |
| 類別 | 分立半導體產品 |
| 家庭 | FET - 單 |
| 系列 | HEXFET® |
| 包裝 | 管件 |
| FET 類型 | MOSFET N 通道，金屬氧化物 |
| FET 功能 | 邏輯電平門 |
| 漏源極電壓 (Vdss) | 30V |
| 電流 - 連續(xù)漏極 (Id)（25° C 時） | 260A （Tc） |
| 不同?Id、Vgs 時的?Rds On（最大值） | 1.95 毫歐 @ 60A，10V |
| 不同 Id 時的 Vgs(th)（最大值） | 2.35V @ 150µA |
| 不同 Vgs 時的柵極電荷 (Qg) | 86nC @ 4.5V |
| 不同 Vds 時的輸入電容 (Ciss) | 8420pF @ 15V |
| 功率 - 最大值 | 230W |
| 安裝類型 | 通孔 |
| 封裝/外殼 | TO-220-3 |
| 供應商器件封裝 | TO-220AB |
| 產品目錄頁面 | 1518 (CN2011-ZH PDF) |
