型号 | 制造商 | 描述 | 操作 |
IRL3303PBF [更多] | Infineon Technologies AG | MOSFET MOSFT 30V 34A 17.3nC 26mOhm LogLvAB RoHS: Compliant | 搜索 |
型号 | 制造商 | 描述 | 操作 |
IRL3303PBF [更多] | Infineon Technologies AG | MOSFET, Power, N-Ch, VDSS 30V, RDS(ON) 0.026Ohm, ID 38A, TO-220AB, PD 68W, VGS +/-16V RoHS: Compliant | 搜索 查看资料 |
型号 | 制造商 | 描述 | 库存 | 起订量 | 参考单价 (含税) | 货期 (工作日) | 操作 |
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數(shù)據(jù)列表 | IRL3303PbF |
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產(chǎn)品相片 | TO-220-3, TO-220AB |
設(shè)計(jì)資源 | IRL3303 Saber Model IRL3303 Spice Model |
標(biāo)準(zhǔn)包裝 | 50 |
類別 | 分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 |
家庭 | FET - 單 |
系列 | HEXFET® |
包裝 | 管件 |
FET 類型 | MOSFET N 通道,金屬氧化物 |
FET 功能 | 邏輯電平門 |
漏源極電壓 (Vdss) | 30V |
電流 - 連續(xù)漏極 (Id)(25° C 時) | 38A (Tc) |
不同?Id、Vgs 時的?Rds On(最大值) | 26 毫歐 @ 20A,10V |
不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值) | 1V @ 250µA |
不同 Vgs 時的柵極電荷 (Qg) | 26nC @ 4.5V |
不同 Vds 時的輸入電容 (Ciss) | 870pF @ 25V |
功率 - 最大值 | 68W |
安裝類型 | 通孔 |
封裝/外殼 | TO-220-3 |
供應(yīng)商器件封裝 | TO-220AB |
產(chǎn)品目錄頁面 | 1518 (CN2011-ZH PDF) |
其它名稱 | *IRL3303PBF |