型号 | 制造商 | 描述 | 操作 |
IRL2910SPBF [更多] | Infineon Technologies AG | MOSFET N-CH 100V 55A D2PAK RoHS: Compliant | pbFree: Yes | 搜索 查看资料 |
型号 | 制造商 | 描述 | 操作 |
IRL2910SPBF [更多] | Infineon Technologies AG | Trans MOSFET N-CH Si 100V 55A 3-Pin(2+Tab) D2PAK Tube RoHS: Compliant | 搜索 |
型号 | 制造商 | 描述 | 操作 |
IRL2910SPBF [更多] | Infineon Technologies AG | Trans MOSFET N-CH 100V 55A 3-Pin(2+Tab) D2PAK - Rail/Tube (Alt: IRL2910SPBF) RoHS: Compliant | 搜索 |
型号 | 制造商 | 描述 | 操作 |
IRL2910SPBF [更多] | Infineon Technologies AG | Trans MOSFET N-CH Si 100V 55A 3-Pin(2+Tab) D2PAK Tube
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IRL2910SPBF [更多] | Infineon Technologies AG | Trans MOSFET N-CH Si 100V 55A 3-Pin(2+Tab) D2PAK Tube
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型号 | 制造商 | 描述 | 操作 |
IRL2910SPBF [更多] | Infineon Technologies AG | Trans MOSFET N-CH Si 100V 55A 3-Pin(2+Tab) D2PAK Tube RoHS: Compliant | 搜索 |
IRL2910SPBF [更多] | Infineon Technologies AG | Trans MOSFET N-CH Si 100V 55A 3-Pin(2+Tab) D2PAK Tube RoHS: Compliant | 搜索 |
型号 | 制造商 | 描述 | 操作 |
IRL2910SPBF [更多] | Infineon Technologies AG | MOSFET, N CH, 100V, 55A, D2PAK
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型号 | 制造商 | 描述 | 操作 |
IRL2910SPBF [更多] | Infineon Technologies AG | Single N-Channel 100 V 3.8 W 140 nC Hexfet Power Mosfet Surface Mount - D2PAK-3 RoHS: Compliant | pbFree: Yes | 搜索 |
型号 | 制造商 | 描述 | 操作 |
IRL2910SPBF [更多] | Infineon Technologies AG | IRL2910SPBF N-channel MOSFET Transistor, 55 A, 100 V, 3-Pin D2PAK RoHS: Compliant | 搜索 查看资料 |
型号 | 制造商 | 描述 | 操作 |
IRL2910SPBF [更多] | Infineon Technologies AG |
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IRL2910SPBF [更多] | International Rectifier |
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型号 | 制造商 | 描述 | 操作 |
IRL2910SPBF [更多] | Infineon Technologies AG | Transistor: N-MOSFET, unipolar, logic level, 100V, 55A, 3.8W, D2PAK
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型号 | 制造商 | 描述 | 操作 |
IRL2910SPBF [更多] | International Rectifier | 55 A, 100 V, 0.03 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET
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型号 | 制造商 | 描述 | 库存 | 起订量 | 参考单价 (含税) | 货期 (工作日) | 操作 |
查看库存、价格及货期 |
典型關(guān)斷延遲時(shí)間 | 49 ns | |
典型接通延遲時(shí)間 | 11 ns | |
典型柵極電荷@Vgs | 140 nC V @ 5 | |
典型輸入電容值@Vds | 3700 pF V @ 25 | |
安裝類(lèi)型 | 表面貼裝 | |
寬度 | 9.65mm | |
封裝類(lèi)型 | D2PAK | |
尺寸 | 10.67 x 9.65 x 4.83mm | |
引腳數(shù)目 | 3 | |
最低工作溫度 | -55 °C | |
最大功率耗散 | 3800 mW | |
最大柵源電壓 | ±16 V | |
最大漏源電壓 | 100 V | |
最大漏源電阻值 | 0.026 Ω | |
最大連續(xù)漏極電流 | 55 A | |
最高工作溫度 | +175 °C | |
每片芯片元件數(shù)目 | 1 | |
類(lèi)別 | 功率 MOSFET | |
通道模式 | 增強(qiáng) | |
通道類(lèi)型 | N | |
配置 | 單 | |
長(zhǎng)度 | 10.67mm | |
高度 | 4.83mm |