IRL2910PBF,IRL2910PBF|International Rectifier代理分銷-IRL2910PBF原裝現(xiàn)貨,PDF下載
| 型号 | 制造商 | 描述 | 操作 |
| IRL2910PBF [更多] | Infineon Technologies AG | MOSFET N-CH 100V 55A TO-220AB RoHS: Compliant | pbFree: Yes | 搜索 查看资料 |
| 型号 | 制造商 | 描述 | 操作 |
| IRL2910PBF [更多] | Infineon Technologies AG | MOSFET MOSFT 48A 93.3nC 260mOhm LogLvAB RoHS: Compliant | 搜索 |
| 型号 | 制造商 | 描述 | 操作 |
| IRL2910PBF [更多] | Infineon Technologies AG | Trans MOSFET N-CH Si 100V 55A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube RoHS: Compliant | 搜索 |
| 型号 | 制造商 | 描述 | 操作 |
| IRL2910PBF [更多] | Infineon Technologies AG | Trans MOSFET N-CH 100V 55A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB - Rail/Tube (Alt: IRL2910PBF) RoHS: Compliant | 搜索 |
| IRL2910PBF [更多] | Infineon Technologies AG | Trans MOSFET N-CH 100V 55A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB (Alt: IRL2910PBF) RoHS: Compliant | 搜索 |
| 型号 | 制造商 | 描述 | 操作 |
| IRL2910PBF [更多] | Infineon Technologies AG | Trans MOSFET N-CH Si 100V 55A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube RoHS: Compliant | 搜索 |
| 型号 | 制造商 | 描述 | 操作 |
| IRL2910PBF [更多] | Infineon Technologies AG | MOSFET, N, 100V, 48A, TO-220
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| IRL2910PBF [更多] | Infineon Technologies AG | Single N-Channel 100 V 0.026 Ohm 140 nC HEXFET? Power Mosfet - TO-220-3 RoHS: Compliant | pbFree: Yes | 搜索 |
| 型号 | 制造商 | 描述 | 操作 |
| IRL2910PBF [更多] | Infineon Technologies AG | MOSFET, Power, N-Ch, VDSS 100V, RDS(ON) 0.026Ohm, ID 55A, TO-220AB, PD 200W, VGS +/-16V RoHS: Compliant | 搜索 查看资料 |
| 型号 | 制造商 | 描述 | 操作 |
| IRL2910PBF [更多] | International Rectifier | MOSFET Operating temperature: -55...+175 °C Housing type: TO-220 Polarity: N Power dissipation: 200 W
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| 型号 | 制造商 | 描述 | 操作 |
| IRL2910PBF [更多] | International Rectifier | 55 A, 100 V, 0.03 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-220AB
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| 型号 | 制造商 | 描述 | 库存 | 起订量 | 参考单价 (含税) | 货期 (工作日) | 操作 |
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PDF查詢| 數(shù)據(jù)列表 | IRL2910PbF |
|---|---|
| 產(chǎn)品相片 | TO-220-3, TO-220AB |
| 產(chǎn)品培訓(xùn)模塊 | High Voltage Integrated Circuits (HVIC Gate Drivers) |
| 設(shè)計資源 | IRL2910PBF Saber Model IRL2910PBF Spice Model |
| 標(biāo)準(zhǔn)包裝 | 50 |
| 類別 | 分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 |
| 家庭 | FET - 單 |
| 系列 | HEXFET® |
| 包裝 | 管件 |
| FET 類型 | MOSFET N 通道，金屬氧化物 |
| FET 功能 | 邏輯電平門 |
| 漏源極電壓 (Vdss) | 100V |
| 電流 - 連續(xù)漏極 (Id)（25° C 時） | 55A （Tc） |
| 不同?Id、Vgs 時的?Rds On（最大值） | 26 毫歐 @ 29A，10V |
| 不同 Id 時的 Vgs(th)（最大值） | 2V @ 250µA |
| 不同 Vgs 時的柵極電荷 (Qg) | 140nC @ 5V |
| 不同 Vds 時的輸入電容 (Ciss) | 3700pF @ 25V |
| 功率 - 最大值 | 200W |
| 安裝類型 | 通孔 |
| 封裝/外殼 | TO-220-3 |
| 供應(yīng)商器件封裝 | TO-220AB |
| 產(chǎn)品目錄頁面 | 1519 (CN2011-ZH PDF) |
| 其它名稱 | *IRL2910PBF |
