典型關(guān)斷延遲時(shí)間 | 32 ns | |
典型接通延遲時(shí)間 | 18 ns | |
典型柵極電荷@Vgs | 68 nC V @ 4.5 | |
典型輸入電容值@Vds | 3445 pF V @ 25 | |
安裝類型 | 通孔 | |
封裝類型 | TO-262 | |
引腳數(shù)目 | 3 | |
最低工作溫度 | -55 °C | |
最大功率耗散 | 2400 mW | |
最大柵源電壓 | ±16 V | |
最大漏源電壓 | 40 V | |
最大漏源電阻值 | 0.008 Ω | |
最大連續(xù)漏極電流 | 104 A | |
最高工作溫度 | +175 °C | |
每片芯片元件數(shù)目 | 1 | |
類別 | 功率 MOSFET | |
通道模式 | 增強(qiáng) | |
通道類型 | N | |
配置 | 單 | |
高度 | 10.54mm |