數(shù)據(jù)列表 | IRFS(L)7437PbF |
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產(chǎn)品相片 | D2Pak,TO-263_418B?04 |
產(chǎn)品培訓(xùn)模塊 | High Voltage Integrated Circuits (HVIC Gate Drivers) |
特色產(chǎn)品 | StrongIRFET? Power MOSFET Family |
PCN Assembly/Origin | Mosfet Wafer Process 30/Jul/2013 |
標(biāo)準(zhǔn)包裝 | 50 |
類別 | 分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 |
家庭 | FET - 單 |
系列 | StrongIRFET™ |
包裝 | 管件 |
FET 類型 | MOSFET N 通道,金屬氧化物 |
FET 功能 | 標(biāo)準(zhǔn) |
漏源極電壓 (Vdss) | 40V |
電流 - 連續(xù)漏極 (Id)(25° C 時) | 195A (Tc) |
不同?Id、Vgs 時的?Rds On(最大值) | 1.8 毫歐 @ 100A,10V |
不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值) | 3.9V @ 150µA |
不同 Vgs 時的柵極電荷 (Qg) | 225nC @ 10V |
不同 Vds 時的輸入電容 (Ciss) | 7330pF @ 25V |
功率 - 最大值 | 230W |
安裝類型 | 表面貼裝 |
封裝/外殼 | TO-263-3,D²Pak(2 引線+接片),TO-263AB |
供應(yīng)商器件封裝 | D²PAK |