IRFS3207TRLPBF,IRFS3207TRLPBF|International Rectifier代理分銷-IRFS3207TRLPBF原裝現(xiàn)貨,PDF下載
PDF查詢| 數據列表 | IRF(B,L,S)3207PBF |
|---|---|
| 產品相片 | TO-263 |
| 產品培訓模塊 | High Voltage Integrated Circuits (HVIC Gate Drivers) |
| 設計資源 | IRFB3207PBF Saber Model IRFB3207PBF Spice Model |
| 標準包裝 | 800 |
| 類別 | 分立半導體產品 |
| 家庭 | FET - 單 |
| 系列 | HEXFET® |
| 包裝 | 帶卷 (TR) |
| FET 類型 | MOSFET N 通道，金屬氧化物 |
| FET 功能 | 標準 |
| 漏源極電壓 (Vdss) | 75V |
| 電流 - 連續(xù)漏極 (Id)（25° C 時） | 170A （Tc） |
| 不同?Id、Vgs 時的?Rds On（最大值） | 4.5 毫歐 @ 75A，10V |
| 不同 Id 時的 Vgs(th)（最大值） | 4V @ 250µA |
| 不同 Vgs 時的柵極電荷 (Qg) | 260nC @ 10V |
| 不同 Vds 時的輸入電容 (Ciss) | 7600pF @ 50V |
| 功率 - 最大值 | 300W |
| 安裝類型 | 表面貼裝 |
| 封裝/外殼 | TO-263-3，D²Pak（2 引線+接片），TO-263AB |
| 供應商器件封裝 | D2PAK |
| 產品目錄頁面 | 1521 (CN2011-ZH PDF) |
| 其它名稱 | IRFS3207TRLPBFTR |
