數(shù)據(jù)列表 | IRFR3418PbF, IRFU3418PbF |
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產品相片 | TO-263 |
設計資源 | IRFR3418PBF Saber Model IRFR3418PBF Spice Model |
標準包裝 | 3,000 |
類別 | 分立半導體產品 |
家庭 | FET - 單 |
系列 | HEXFET® |
包裝 | 帶卷 (TR) |
FET 類型 | MOSFET N 通道,金屬氧化物 |
FET 功能 | 標準 |
漏源極電壓 (Vdss) | 80V |
電流 - 連續(xù)漏極 (Id)(25° C 時) | 70A (Tc) |
不同?Id、Vgs 時的?Rds On(最大值) | 14 毫歐 @ 18A,10V |
不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值) | 5.5V @ 250µA |
不同 Vgs 時的柵極電荷 (Qg) | 94nC @ 10V |
不同 Vds 時的輸入電容 (Ciss) | 3510pF @ 25V |
功率 - 最大值 | 3.8W |
安裝類型 | 表面貼裝 |
封裝/外殼 | TO-252-3,DPak(2 引線+接片),SC-63 |
供應商器件封裝 | D-Pak |