IRFR3410TRLPBF,IRFR3410TRLPBF|International Rectifier代理分銷-IRFR3410TRLPBF原裝現(xiàn)貨,PDF下載
PDF查詢| 數(shù)據(jù)列表 | IRFR3410PbF, IRFU3410PbF |
|---|---|
| 產(chǎn)品相片 | TO-263 |
| 產(chǎn)品培訓模塊 | High Voltage Integrated Circuits (HVIC Gate Drivers) |
| 設計資源 | IRFR3410PBF Saber Model IRFR3410PBF Spice Model |
| 標準包裝 | 3,000 |
| 類別 | 分立半導體產(chǎn)品 |
| 家庭 | FET - 單 |
| 系列 | HEXFET® |
| 包裝 | 帶卷 (TR) |
| FET 類型 | MOSFET N 通道，金屬氧化物 |
| FET 功能 | 標準 |
| 漏源極電壓 (Vdss) | 100V |
| 電流 - 連續(xù)漏極 (Id)（25° C 時） | 31A （Tc） |
| 不同?Id、Vgs 時的?Rds On（最大值） | 39 毫歐 @ 18A，10V |
| 不同 Id 時的 Vgs(th)（最大值） | 4V @ 250µA |
| 不同 Vgs 時的柵極電荷 (Qg) | 56nC @ 10V |
| 不同 Vds 時的輸入電容 (Ciss) | 1690pF @ 25V |
| 功率 - 最大值 | 3W |
| 安裝類型 | 表面貼裝 |
| 封裝/外殼 | TO-252-3，DPak（2 引線+接片），SC-63 |
| 供應商器件封裝 | D-Pak |
| 產(chǎn)品目錄頁面 | 1522 (CN2011-ZH PDF) |
| 其它名稱 | IRFR3410TRLPBFTR |
