IRFL1006PBF,IRFL1006PBF|International Rectifier代理分銷-IRFL1006PBF原裝現(xiàn)貨,PDF下載
PDF查詢| 數(shù)據(jù)列表 | IRFL1006PbF |
|---|---|
| 產(chǎn)品相片 | SOT223-3L |
| 標準包裝 | 80 |
| 類別 | 分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 |
| 家庭 | FET - 單 |
| 系列 | HEXFET® |
| 包裝 | 管件 |
| FET 類型 | MOSFET N 通道，金屬氧化物 |
| FET 功能 | 標準 |
| 漏源極電壓 (Vdss) | 60V |
| 電流 - 連續(xù)漏極 (Id)（25° C 時） | 1.6A （Ta） |
| 不同?Id、Vgs 時的?Rds On（最大值） | 220 毫歐 @ 1.6A，10V |
| 不同 Id 時的 Vgs(th)（最大值） | 4V @ 250µA |
| 不同 Vgs 時的柵極電荷 (Qg) | 8nC @ 10V |
| 不同 Vds 時的輸入電容 (Ciss) | 160pF @ 25V |
| 功率 - 最大值 | 1W |
| 安裝類型 | 表面貼裝 |
| 封裝/外殼 | TO-261-4，TO-261AA |
| 供應(yīng)商器件封裝 | SOT-223 |
| 其它名稱 | *IRFL1006PBF |
