數(shù)據(jù)列表 | IRFI4212H-117P |
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產(chǎn)品相片 | IRFI4212H-117P |
產(chǎn)品培訓(xùn)模塊 | High Voltage Integrated Circuits (HVIC Gate Drivers) |
PCN Assembly/Origin | Mosfet Fab Transfer 04/Jul/2013 |
標(biāo)準(zhǔn)包裝 | 50 |
類別 | 分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 |
家庭 | FET - 陣列 |
系列 | - |
包裝 | 管件 |
FET 類型 | 2 個 N 溝道(雙) |
FET 功能 | 標(biāo)準(zhǔn) |
漏源極電壓 (Vdss) | 100V |
電流 - 連續(xù)漏極 (Id)(25° C 時) | 11A |
不同?Id、Vgs 時的?Rds On(最大值) | 72.5 毫歐 @ 6.6A,10V |
不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值) | 5V @ 250µA |
不同 Vgs 時的柵極電荷 (Qg) | 18nC @ 10V |
不同 Vds 時的輸入電容 (Ciss) | 490pF @ 50V |
功率 - 最大值 | 18W |
安裝類型 | 通孔 |
封裝/外殼 | TO-220-5 整包 |
供應(yīng)商器件封裝 | TO-220-5 整包 |
其它名稱 | IRFI4212H117P |