型号 | 制造商 | 描述 | 库存 | 起订量 | 参考单价 (含税) | 货期 (工作日) | 操作 |
查看库存、价格及货期 |
數(shù)據(jù)列表 | IRFHS9301PBF |
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產(chǎn)品相片 | 6-PowerVDFN |
產(chǎn)品培訓(xùn)模塊 | High Voltage Integrated Circuits (HVIC Gate Drivers) |
設(shè)計資源 | IRFHS9301TR2PBF Saber Model IRFHS9301TR2PBF Spice Model |
標(biāo)準(zhǔn)包裝 | 4,000 |
類別 | 分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 |
家庭 | FET - 單 |
系列 | HEXFET® |
包裝 | 帶卷 (TR) |
FET 類型 | MOSFET P 通道,金屬氧化物 |
FET 功能 | 邏輯電平門 |
漏源極電壓 (Vdss) | 30V |
電流 - 連續(xù)漏極 (Id)(25° C 時) | 6A (Ta), 13A (Tc) |
不同?Id、Vgs 時的?Rds On(最大值) | 37 毫歐 @ 7.8A,10V |
不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值) | 2.4V @ 25µA |
不同 Vgs 時的柵極電荷 (Qg) | 13nC @ 10V |
不同 Vds 時的輸入電容 (Ciss) | 580pF @ 25V |
功率 - 最大值 | 2.1W |
安裝類型 | 表面貼裝 |
封裝/外殼 | 6-VQFN |
供應(yīng)商器件封裝 | 6-PQFN(2x2) |