數(shù)據(jù)列表 | IRFHM9331PBF |
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產(chǎn)品相片 | IRFH5250TR2PBF |
產(chǎn)品培訓模塊 | High Voltage Integrated Circuits (HVIC Gate Drivers) |
設(shè)計資源 | IRFHM9331TR2PBF Saber Model IRFHM9331TR2PBF Spice Model |
標準包裝 | 4,000 |
類別 | 分立半導體產(chǎn)品 |
家庭 | FET - 單 |
系列 | HEXFET® |
包裝 | 帶卷 (TR) |
FET 類型 | MOSFET P 通道,金屬氧化物 |
FET 功能 | 邏輯電平門 |
漏源極電壓 (Vdss) | 30V |
電流 - 連續(xù)漏極 (Id)(25° C 時) | 11A |
不同?Id、Vgs 時的?Rds On(最大值) | 10 毫歐 @ 11A,20V |
不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值) | 2.4V @ 25µA |
不同 Vgs 時的柵極電荷 (Qg) | 16nC @ 4.5V |
不同 Vds 時的輸入電容 (Ciss) | 1543pF @ 25V |
功率 - 最大值 | 2.8W |
安裝類型 | 表面貼裝 |
封裝/外殼 | 8-PowerTDFN |
供應(yīng)商器件封裝 | PQFN(3x3) |
其它名稱 | IRFHM9331TRPBF-ND IRFHM9331TRPBFTR |