IRFHM8363TR2PBF,IRFHM8363TR2PBF|International Rectifier代理分銷-IRFHM8363TR2PBF原裝現(xiàn)貨,PDF下載
PDF查詢| 數(shù)據(jù)列表 | IRFHM8363PbF |
|---|---|
| 設計資源 | IRFHM8363TR2PBF Saber Model IRFHM8363TR2PBF Spice Model |
| 標準包裝 | 400 |
| 類別 | 分立半導體產(chǎn)品 |
| 家庭 | FET - 陣列 |
| 系列 | HEXFET® |
| 包裝 | 帶卷 (TR) |
| FET 類型 | 2 個 N 溝道（雙） |
| FET 功能 | 邏輯電平門 |
| 漏源極電壓 (Vdss) | 30V |
| 電流 - 連續(xù)漏極 (Id)（25° C 時） | 11A |
| 不同?Id、Vgs 時的?Rds On（最大值） | 14.9 毫歐 @ 10A，10V |
| 不同 Id 時的 Vgs(th)（最大值） | 2.35V @ 25µA |
| 不同 Vgs 時的柵極電荷 (Qg) | 15nC @ 10V |
| 不同 Vds 時的輸入電容 (Ciss) | 1165pF @ 10V |
| 功率 - 最大值 | 2.7W |
| 安裝類型 | 表面貼裝 |
| 封裝/外殼 | 8-PowerVDFN |
| 供應商器件封裝 | 8-PQFN（3.3X3.3），Power33 |
| 其它名稱 | IRFHM8363TR2PBFTR |
