IRFHM830TR2PBF,IRFHM830TR2PBF|International Rectifier代理分銷-IRFHM830TR2PBF原裝現(xiàn)貨,PDF下載
PDF查詢| 數(shù)據(jù)列表 | IRFHM830PbF |
|---|---|
| 產(chǎn)品相片 | IRFHM830DTR2PBF |
| 設(shè)計資源 | IRFHM830TR2PBF Saber Model IRFHM830TR2PBF Spice Model |
| 標準包裝 | 1 |
| 類別 | 分立半導(dǎo)體產(chǎn)品 |
| 家庭 | FET - 單 |
| 系列 | HEXFET® |
| 包裝 | 剪切帶 (CT) |
| FET 類型 | MOSFET N 通道，金屬氧化物 |
| FET 功能 | 邏輯電平門 |
| 漏源極電壓 (Vdss) | 30V |
| 電流 - 連續(xù)漏極 (Id)（25° C 時） | 21A （Ta）， 40A （Tc） |
| 不同?Id、Vgs 時的?Rds On（最大值） | 3.8 毫歐 @ 20A，10V |
| 不同 Id 時的 Vgs(th)（最大值） | 2.35V @ 50µA |
| 不同 Vgs 時的柵極電荷 (Qg) | 31nC @ 10V |
| 不同 Vds 時的輸入電容 (Ciss) | 2155pF @ 25V |
| 功率 - 最大值 | 2.7W |
| 安裝類型 | 表面貼裝 |
| 封裝/外殼 | 8-VQFN 裸露焊盤 |
| 供應(yīng)商器件封裝 | PQFN（3x3） |
| 其它名稱 | IRFHM830TR2PBFCT |
